Micro LED技術(shù)有哪些應(yīng)用難點(diǎn)？小編挑幾個(gè)重點(diǎn)的給大概講解一下。

1.全彩顯示技術(shù)瓶頸

全彩顯示是Micro LED的核心難點(diǎn)，當(dāng)前主流方案包括合光方案、量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換、三色堆疊及單片外延技術(shù)。合光方案相對成熟但模組體積需進(jìn)一步縮小；三色堆疊和單片外延方案仍處于實(shí)驗(yàn)室階段，工藝難度極高。 ?

2.巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)挑戰(zhàn)

將百萬至千萬顆微米級LED芯片從生長襯底精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移至驅(qū)動(dòng)基板的過程需達(dá)到±0.5μm精度，且良率需超過99.9999%。現(xiàn)有技術(shù)包括精準(zhǔn)抓取、自組裝、選擇性釋放和轉(zhuǎn)印等流派，但尚無完美解決方案。 

3.光學(xué)與工藝整合

Micro LED制造涉及外延片生長、鍵合剝離、光刻刻蝕等八大核心工藝，需確保芯片尺寸小于10μm并實(shí)現(xiàn)高亮度（如250萬Nits）。光學(xué)均一性不足需通過混bin技術(shù)分類處理，但檢測精度需達(dá)到2μm以內(nèi)。 ?

4.成本控制與規(guī)模化

AR眼鏡等消費(fèi)級應(yīng)用要求成本降低，但高精度檢測設(shè)備與工藝流程導(dǎo)致初期投入高昂。2030年市場規(guī)模預(yù)測達(dá)2550萬臺(tái)，但目前仍面臨量產(chǎn)技術(shù)驗(yàn)證周期長、良率不穩(wěn)定等問題。